RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
63
76
En 17% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
76
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
1859
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link