RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
29
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2181
3273
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link