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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
総合得点
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
29
周辺 7% 低遅延
考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.7
13.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.9
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
29
読み出し速度、GB/s
13.4
16.7
書き込み速度、GB/秒
7.8
12.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2181
3273
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB RAMの比較
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB RAMの比較
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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