RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
32
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
9.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
6.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2181
2017
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link