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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
26
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
4.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.6
12.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1560
2938
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
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