RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
13.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
77
Rund um -133% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
13.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2987
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link