RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
77
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2987
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link