RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Porównaj
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Wynik ogólny
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
47
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2323
2841
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-015.A00LF 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link