RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2659
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link