Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    3 left arrow 17.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    33 left arrow 65
    Wokół strony -97% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.0 left arrow 1,592.0
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    25600 left arrow 5300
    Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    65 left arrow 33
  • Prędkość odczytu, GB/s
    3,580.8 left arrow 17.6
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,592.0 left arrow 12.0
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • Opis
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    572 left arrow 2910
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania