RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2910
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link