RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2270
2910
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link