RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Porównaj
Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB vs SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
41
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
25
41
Prędkość odczytu, GB/s
15.4
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
10600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2457
2116
Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link