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Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB

Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB vs SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB

総合得点
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Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB

Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB

総合得点
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SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB 考慮すべき理由
Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 41
    周辺 39% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.4 left arrow 13.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.5 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21% 高帯域
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 41
  • 読み出し速度、GB/s
    15.4 left arrow 13.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.5 left arrow 8.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2457 left arrow 2116

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SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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