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Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Comparez
Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB vs SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Note globale
Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB
Note globale
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
41
Autour de 39% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21% bande passante supérieure
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
25
41
Vitesse de lecture, GB/s
15.4
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
10600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2457
2116
Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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