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SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Comparez
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Note globale
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
41
Autour de -52% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
41
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
12800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2116
2245
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB Comparaison des RAM
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
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