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SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Confronto
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
13.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
41
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
41
27
Velocità di lettura, GB/s
13.9
13.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
12800
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
2245
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB Confronto tra le RAM
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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