SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

Puntuación global
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SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.9 left arrow 13.2
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 41
    En -52% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.9 left arrow 8.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
    En 1.21 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    41 left arrow 27
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.9 left arrow 13.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 8.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2116 left arrow 2245
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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