SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.9 left arrow 13.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    27 left arrow 41
    Wokół strony -52% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.9 left arrow 8.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    12800 left arrow 10600
    Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    41 left arrow 27
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.9 left arrow 13.2
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.4 left arrow 8.9
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2116 left arrow 2245
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania