Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

27 32

Wokół strony 16% niższe opóźnienia

Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

15.7 13.2

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

13.8 8.9

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 12800

Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2245 3098

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns