RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Porównaj
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
14.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2196
2679
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link