RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2196
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link