RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
38
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
20
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3287
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link