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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Compara
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
26
En 8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
10.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
26
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.6
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2196
2679
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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