RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
51
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
28
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3772
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link