RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
51
Por volta de -82% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
28
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
15.8
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3772
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-CG 2GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link