Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB vs Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB vs Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

27 43

Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

8.9 8.2

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2245 2216

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns