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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB vs Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
43
Por volta de 37% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
8.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
13.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
27
43
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
8.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2245
2216
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
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