Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB vs Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB vs Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

27 43

Por volta de 37% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

8.9 8.2

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

13.9 13.2

Valor médio nos testes

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2245 2216

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns