RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Comparar
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
13.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
55
Por volta de -31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
15.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
55
42
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
13.8
13.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2701
2885
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link