Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB

Pontuação geral
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Pontuação geral
star star star star star
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    35 left arrow 41
    Por volta de 15% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13.7 left arrow 12.8
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.6 left arrow 9.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 12800
    Por volta de 1.5 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    35 left arrow 41
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.7 left arrow 12.8
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.6 left arrow 9.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2312 left arrow 2238
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações