RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
41
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
41
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
13.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
12800
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
2245
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link