RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
41
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
41
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
13.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
12800
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
2245
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Mushkin 996902 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link