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Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Compara
Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB vs SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
41
En 39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
25
41
Velocidad de lectura, GB/s
15.4
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2457
2116
Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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