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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
13.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
77
左右 -133% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
33
读取速度,GB/s
3,405.2
16.1
写入速度,GB/s
2,622.0
13.0
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2987
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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