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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
73
左右 33% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
73
读取速度,GB/s
10.9
15.0
写入速度,GB/s
8.7
7.5
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
1838
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
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