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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Gesamtnote
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
30
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
4.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.6
7.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1560
2154
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB RAM-Vergleiche
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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