RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
37
Rund um 30% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
4.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.6
10.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1560
2191
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link