RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
26
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
14
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.0
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
8.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2330
2631
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB RAM-Vergleiche
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link