RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.1
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
14
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
23
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.1
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2330
2631
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Сравнения RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link