RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
33
Rund um 12% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
10.8
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2513
2795
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link