A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Gesamtnote
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Unterschiede

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    5 left arrow 14.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    30 left arrow 49
    Rund um -63% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.0 left arrow 2,343.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 6400
    Rund um 3.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    49 left arrow 30
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    5,135.8 left arrow 14.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,343.1 left arrow 9.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    843 left arrow 2374
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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