A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

总分
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

总分
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    5 left arrow 14.5
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    30 left arrow 49
    左右 -63% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    9.0 left arrow 2,343.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    49 left arrow 30
  • 读取速度,GB/s
    5,135.8 left arrow 14.5
  • 写入速度,GB/s
    2,343.1 left arrow 9.0
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    843 left arrow 2374
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