RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
41
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.0
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
9.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2324
2319
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link