RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
35
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
9.5
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2613
2319
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB RAM-Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KL9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G133381 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link