Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Gesamtnote
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Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Unterschiede

Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.9 left arrow 11.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.1 left arrow 9.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    34 left arrow 35
    Rund um -3% geringere Latenzzeit

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    35 left arrow 34
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.9 left arrow 11.1
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.1 left arrow 9.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2613 left arrow 2319
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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