RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
35
Autour de -3% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
34
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
11.1
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2613
2319
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Comparaison des RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 999015 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link