Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.9 left arrow 11.1
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.1 left arrow 9.5
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    34 left arrow 35
    Intorno -3% latenza inferiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    35 left arrow 34
  • Velocità di lettura, GB/s
    14.9 left arrow 11.1
  • Velocità di scrittura, GB/s
    10.1 left arrow 9.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2613 left arrow 2319
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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