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Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

総合得点
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Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

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総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.9 left arrow 11.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.1 left arrow 9.5
    テスト平均値
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 35
    周辺 -3% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    14.9 left arrow 11.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.1 left arrow 9.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2613 left arrow 2319

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