RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
32
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
32
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
12.9
Speicherbandbreite, mbps
21300
25600
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2968
3100
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link