RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
39
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
14.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
3458
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
‹
›
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link