RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
37
Rund um -54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
12.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2904
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link