RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
10.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
2527
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link